Истражувачи од Федералната политехничка школа во Лозана (EPFL) покажаа како плазмениот третман може да помогне во контролирањето на допирањето на силициумот во близина на неговата површина. Ова е важно за изработка на ултраплитки споеви и нанотехнолошки уреди.
Тимот користел мешан молекуларен слој составен од фосфор-содржечката молекула алилдифенилфосфин (ADP) и 1-ундецен. Со менување на уделот на ADP, истражувачите можеле да ја контролираат количината фосфор достапна на површината пред термичката дифузија во силициумот.
По нанесувањето на слојот, примероците биле третирани со плазма од кислород. Анализата со рендгенска фотоелектронска спектроскопија покажала дека третманот го намалил преостанатиот јаглерод, а притоа во голема мера го зачувал фосфорот на површината.
Мерењата со микроскопија на силата на Келвин откриле дека работната функција на силициумот систематски се намалувала со зголемувањето на концентрацијата на ADP. Начинот на нанесување на заштитниот слој од силициум диоксид исто така имал значително влијание: испарениот SiO₂ во комбинација со плазмен третман најјасно покажал премин кон однесување типично за n-тип силициум, додека распрсканиот SiO₂ предизвикал силно фиксирање на работната функција.
Електричните мерења со сонда со четири контакти и со Холов ефект потврдиле дека поголемата количина ADP ја зголемува спроводливоста и концентрацијата на носители на полнеж. Сепак, меѓу плазмено третираните и нетретираните примероци немало значајна разлика во мерењата што го опфаќаат целиот материјал.
Резултатите, објавени во списанието Small Methods, покажуваат дека при проценувањето на молекуларно допиран силициум мора да се разликуваат својствата на површинскиот слој од транспортот на полнеж низ волуменот. Пристапот може да биде корисен за идни наноскалести и квантни уреди.
